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TO220 Gen.3 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明


亚搏体彩手机下载第三代碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性,提升系统效率取得更优异的性能,此外,第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性,可承受更高的浪涌电流,以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明


ProductVRIFVF(typ.) (V)QCPkg. TypeDatasheet
Number(V)(A)@25℃@175℃(nC)
H3D065A004650V 4A@Tc= 151℃1.51.89TO220download
H3D065A006650V6A@Tc= 149℃1.51.813TO220download
H3D065A008650V8A@Tc= 146℃1.51.815TO220download
H3D065A010650V10A@Tc= 145℃1.51.818.5TO220download
H3D065A012650V12A@Tc= 142℃1.51.827.3TO220download
H3D065A015
650V
15A@Tc= 140℃
1.45
1.8
33
TO220
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H3S065A020650V23.6A@Tc= 135℃1.41.5555TO220download
H3S120A0051200V8.5A@Tc= 135℃1.482.128TO220download
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24
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8A@Tc= 121℃
1.55
1.9
13
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备注


*号产品现未批量生产,规格书将会持续更新。