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TO252 Gen.3 SiC Schottky Diode

极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

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极快速的反向恢复

更高的抗浪涌(IFSM)电流能力

高温反向漏电流低

175℃的结温能力

高耐压的肖特基高速元件结构

元件特性与温度相依性低

功能说明


 亚搏手机版官方登录第三代碳化矽萧特基二极管(SiC Schottky Diode)具备更低Vf特性，提升系统效率取得更优异的性能，此外，第三代SiC Schottky Diode提供更杰出的IFSM特性，可承受更高的浪涌电流，以利使用者拥有更高可靠度的元件选择。

规格说明


Product VR IF VF(typ) QC Pkg. Type Datasheet
Number (V) (A) (V) (nC)
H3D065S004*
650V
6.2A@Tc= 110℃
1.5
9
TO252
download
H3D065K004*
download
H3D065S006 650V  8.5A@Tc= 110℃ 1.5 13 TO252 download
H3D065K006 download
H3D065S008 650V 11A@Tc= 110℃ 1.5 15 TO252 download
H3D065K008 download
H3S065S004
650V
5.4A@Tc= 135℃
1.4
12
TO252
download
H3S065K004
download
H3S065S006
650V
8A@Tc= 135℃
1.56
15
TO252
download
H3S065K006
650V
download
H3S065S010
650V
10A@Tc=148°C
1.42
27.3
TO252
download
H3S065K010
download
H3D065S015*650V17A@Tc= 110℃1.4533TO252download
H3D065K015*download
H3D065S020*650V22.5A@Tc= 100℃1.543.5TO252download
H3D065K020*download
H3S120S002 1200V
4A@Tc= 135℃
1.35
18
TO252
download
H3S120K002 download
H3S120S005 1200V
6.5A@Tc= 135℃
1.48
23
TO252
download
H3S120K005 download
H3S120S010*1200V
13A@Tc= 135℃
1.45 55TO252download
H3S120K010*


备注


*号产品现未批量生产，规格书将会持续更新。